logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
БЛФ6Г20-180РН,112
  • БЛФ6Г20-180РН,112
БЛФ6Г20-180РН,112

БЛФ6Г20-180РН,112

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT502A
Напряжение тока - тест:
30 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
10,93 ГГц ~ 1,99 ГГц
Увеличение:
17.2 дБ
Пакет / чемодан:
SOT-502A
Настоящий - тест:
1,4 a
Сила - выход:
40W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
49A
Номер базовой продукции:
BLF6G20
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 30 V 1.4 A 1,93 ГГц ~ 1,99 ГГц 17,2 дБ 40 Вт SOT502A

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас