Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
БЛК10М6ХС200З
  • БЛК10М6ХС200З
БЛК10М6ХС200З

БЛК10М6ХС200З

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT-1270-1
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
425 - 450 МГц
Увеличение:
19.5 дБ
Пакет / чемодан:
SOT-1270-1
Настоящий - тест:
350 мам
Сила - выход:
200 Вт
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
4.2μA
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1270-1
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 V 350 mA 425 МГц ~ 450 МГц 19.5 дБ 200 Вт SOT-1270-1

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас