Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
PTFB211501E-V1-R250
  • PTFB211501E-V1-R250
PTFB211501E-V1-R250

PTFB211501E-V1-R250

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
H-36248-2
Напряжение тока - тест:
30 v
Мфр:
Wolfspeed, Inc.
Частота:
2.17GHz
Увеличение:
18dB
Пакет / чемодан:
2-Плоская пачка, с крыльями
Настоящий - тест:
1,2 А
Сила - выход:
40W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
PTFB211501
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET RF LDMOS 150W H36248-2
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 30 В 1,2 А 2,17 ГГц 18 дБ 40 Вт H-36248-2

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас