Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
А2Г26Х281-04СР3
  • А2Г26Х281-04СР3
А2Г26Х281-04СР3

А2Г26Х281-04СР3

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
125 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
NI-780S-4L
Напряжение тока - тест:
48 В
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
20,496 ГГц ~ 2,69 ГГц
Увеличение:
14.2 дБ
Пакет / чемодан:
NI-780S-4L
Настоящий - тест:
150 мам
Сила - выход:
50W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
A2G26
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
AIRFAST RF POWER GAN ТРАНСИСТОР
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 48 V 150 mA 2,496 ГГц ~ 2,69 ГГц 14,2 дБ 50 Вт NI-780S-4L

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас