Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
MRF6V2150NBR1
  • MRF6V2150NBR1
MRF6V2150NBR1

MRF6V2150NBR1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Расклассифицированное напряжение тока -:
110 v
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
TO-272 WB-4
Напряжение тока - тест:
50 v
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
220 МГц
Увеличение:
25dB
Пакет / чемодан:
TO-272BB
Настоящий - тест:
450 мам
Сила - выход:
150 Вт
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
MRF6
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 50 В 450 мА 220 МГц 25 дБ 150 Вт TO-272 WB-4

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас