Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
BLF6G22L-40BN, 112
  • BLF6G22L-40BN, 112
BLF6G22L-40BN, 112

BLF6G22L-40BN, 112

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Поднос
Конфигурация:
Двойной, общий источник
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
CDFM6
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
2.11GHz | 2.17GHz
Увеличение:
19dB
Пакет / чемодан:
SOT-1112A
Настоящий - тест:
345 мА
Сила - выход:
2.5W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
BLF6G22
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A RF
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 V 345 mA 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц 19 дБ 2,5 Вт CDFM6

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас