Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
BLF7G27L-75P, 112
  • BLF7G27L-75P, 112
BLF7G27L-75P, 112

BLF7G27L-75P, 112

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
трубка
Конфигурация:
Двойной, общий источник
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
LDMOST
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
20,3 ГГц ~ 2,4 ГГц
Увеличение:
17dB
Пакет / чемодан:
SOT-1121A
Настоящий - тест:
650 мам
Сила - выход:
12W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
18A
Номер базовой продукции:
BLF7G27
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A RF
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 В 650 мА 2,3–2,4 ГГц 17 дБ 12 Вт LDMOST

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас