Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
MMBFJ309LT1G
  • MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
25 v
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Конфигурация:
N-канал
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Мфр:
на полу
Частота:
-
Увеличение:
-
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Сила - выход:
-
Технологии:
JFET
Настоящая оценка (Amps):
30mA
Номер базовой продукции:
MMBFJ309
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
РФ Мосфет СОТ-23-3 (ТО-236)

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас