Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
MRF7P20040HR5
  • MRF7P20040HR5
MRF7P20040HR5

MRF7P20040HR5

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Конфигурация:
Двойной
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
NI-780-4
Напряжение тока - тест:
32 v
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
20,03 ГГц
Увеличение:
18.2 дБ
Пакет / чемодан:
NI-780-4
Настоящий - тест:
150 мам
Сила - выход:
10W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
MRF7
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 32 V 150 mA 2,03 ГГц 18,2 дБ 10 Вт NI-780-4

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас