Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
A2I20H060NR1
  • A2I20H060NR1
A2I20H060NR1

A2I20H060NR1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Конфигурация:
Двойной
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
TO-270WB-15
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
10,84 ГГц
Увеличение:
280,9 дБ
Пакет / чемодан:
TO-270-15 Вариант, плоские провода
Настоящий - тест:
24 мамы
Сила - выход:
12W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
A2I20
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
TRANS RF LDMOS IC
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 В 24 мА 1,84 ГГц 28,9 дБ 12 Вт TO-270WB-15

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас