Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
МРФГ35003М6Р5
  • МРФГ35003М6Р5
МРФГ35003М6Р5

МРФГ35003М6Р5

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
8 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
ПЛД-1.5
Напряжение тока - тест:
6 v
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
3.55 ГГц
Увеличение:
9dB
Пакет / чемодан:
ПЛД-1.5
Настоящий - тест:
180 мам
Сила - выход:
3W
Технологии:
pHEMT FET
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
MRFG35
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET RF 8V 3,55 ГГц 1,5-PLD
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 6 V 180 mA 3,55 ГГц 9 дБ 3 Вт PLD-1.5

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас