Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
BLP10H610AZ
  • BLP10H610AZ
BLP10H610AZ

BLP10H610AZ

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
104 v
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Конфигурация:
Двойной, общий источник
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
12-HVSON (6x5)
Напряжение тока - тест:
50 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
860MHz
Увеличение:
22dB
Пакет / чемодан:
12-VDFN подвергло пусковая площадка действию
Настоящий - тест:
60 мам
Сила - выход:
10W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
BLP10
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN RF
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 50 В 60 мА 860 МГц 22 дБ 10 Вт 12-HVSON (6x5)

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас