Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
CGHV1F025S
  • CGHV1F025S
CGHV1F025S

CGHV1F025S

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Расклассифицированное напряжение тока -:
100 В
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
GaN
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
12-DFN (4x3)
Напряжение тока - тест:
40 v
Мфр:
Wolfspeed, Inc.
Частота:
0Hz ~ 15GHz
Увеличение:
11.6dBm
Пакет / чемодан:
12-VFDFN подвергло пусковая площадка действию
Настоящий - тест:
150 мам
Сила - выход:
29 Вт
Технологии:
HEMT
Настоящая оценка (Amps):
2A
Номер базовой продукции:
CGHV1
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 40 В 150 мА 0 Гц ~ 15 ГГц 11,6 дБм 29 Вт 12-DFN (4x3)

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас