Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
А3Г26Д055Н-100
  • А3Г26Д055Н-100
А3Г26Д055Н-100

А3Г26Д055Н-100

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
125 v
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
6-PDFN (7x6.5)
Напряжение тока - тест:
48 В
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
100 МГц ~ 2,69 ГГц
Увеличение:
130,9 дБ
Пакет / чемодан:
6-LDFN подложка
Настоящий - тест:
40 мам
Сила - выход:
8w
Технологии:
GaN
Настоящая оценка (Amps):
-
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
RF REF CIRCUIT 25W 100-2800MHZ
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 48 В 40 мА 100 МГц ~ 2,69 ГГц 13,9 дБ 8 Вт 6-PDFN (7x6,5)

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас