Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
BG3123E6327HTSA1
  • BG3123E6327HTSA1
BG3123E6327HTSA1

BG3123E6327HTSA1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
8 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Конфигурация:
N-канал 2 (двойной)
Серия:
-
Диаграмма шума:
10,8 дБ
Пакет изделий поставщика:
PG-SOT363-PO
Напряжение тока - тест:
5 v
Мфр:
Infineon Technologies
Частота:
800MHz
Увеличение:
25dB
Пакет / чемодан:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Настоящий - тест:
14 мамы
Сила - выход:
-
Технологии:
MOSFET
Настоящая оценка (Amps):
25mA, 20mA
Номер базовой продукции:
BG3123
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 5 В 14 мА 800 МГц 25 дБ PG-SOT363-PO

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас