Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
BLC9G10XS-120AZ
  • BLC9G10XS-120AZ
BLC9G10XS-120AZ

BLC9G10XS-120AZ

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Поднос
Конфигурация:
Двойной
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT1273-1
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
920 - 960 МГц
Увеличение:
21dB
Пакет / чемодан:
SOT-1273-1
Настоящий - тест:
120 мам
Сила - выход:
120W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
1,4 мкА
Номер базовой продукции:
BLC9
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
RF LDMOS TRANS 120W SOT1273
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 В 120 мА 920–960 МГц 21 дБ 120 Вт SOT1273-1

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас