Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФФ900Р12ИЕ4ВПБОСА1
  • ФФ900Р12ИЕ4ВПБОСА1
ФФ900Р12ИЕ4ВПБОСА1

ФФ900Р12ИЕ4ВПБОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
900 А
Статус продукта:
Не для новых моделей
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ПраймПАК™2
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 900A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
20 mW
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
54 нФ при 25 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
ФФ900Р12
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
MOD 1200V 900A 20MW IGBT
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Мост 1200 v 900 a половины диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT модуль держателя 20 шасси mW

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас