Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
FP15R12W1T7B3BOMA1
  • FP15R12W1T7B3BOMA1
FP15R12W1T7B3BOMA1

FP15R12W1T7B3BOMA1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
TrenchStop™
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
-
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
АГ-EASY1B-2
Мфр:
Infineon Technologies
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Пакет / чемодан:
Модуль
Ввод:
Стандартный
Операционная температура:
175°C (TJ)
Конфигурация:
Половинный инвертор моста
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФП15Р12
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
МОДУЛЬ IGBT LOW POWER EASY
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль IGBT Трещино-полевая остановка полумостовой инвертор 1200 В шасси AG-EASY1B-2

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас