Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФС200Р07А5Е3С6БПСА1
  • ФС200Р07А5Е3С6БПСА1
ФС200Р07А5Е3С6БПСА1

ФС200Р07А5Е3С6БПСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
200 a
Статус продукта:
Покупка последнего раза
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
HybridPACK™
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1.7В @ 15В, 200А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
705 В
Пакет изделий поставщика:
-
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 100
Тип IGBT:
Канава
Сила - Макс:
630 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
13 нФ при 25 В
Конфигурация:
Полный инвертор моста
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
ФС200Р07
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
IGBT-модуль гибридный световой пакет
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль IGBT траншея полный мостик инвертор 705 V 200 A 630 W шасси монтаж

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас