Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
F423MR12W1M1B11BOMA1
  • F423MR12W1M1B11BOMA1
F423MR12W1M1B11BOMA1

F423MR12W1M1B11BOMA1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
50 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
EasyPACK™
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
-
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
AG-EASY1BM-2
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Сила - Макс:
20 mW
Тип IGBT:
Канава
Пакет / чемодан:
Модуль
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
3,68 nF @ 800 v
Конфигурация:
Полный мост
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
F423MR12
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ ЛЕГКО
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Мост 1200 v 50 a канавы модуля IGBT полный держатель AG-EASY1BM-2 20 шасси mW

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас