logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
VS-GT100TS065N
  • VS-GT100TS065N
VS-GT100TS065N

VS-GT100TS065N

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
96 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Коробка
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,3 В при 15 В, 100 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет изделий поставщика:
INT-A-PAK IGBT
Мфр:
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 50
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
259 w
Ввод:
Стандартный
Операционная температура:
-40°C | 175°C (TJ)
Конфигурация:
Половинный инвертор моста
Термистор NTC:
Нет, нет.
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
МОДУЛИ IGBT - IAP IGBT
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Инвертор 650 v моста диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT половинный держатель INT-A-PAK IGBT 96 шасси a 259 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас