Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ДД1200С12Х4ХОСА1
  • ДД1200С12Х4ХОСА1
ДД1200С12Х4ХОСА1

ДД1200С12Х4ХОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
A 1200
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ИХМ-Б
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.35V @ 15V, 1200A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Сила - Макс:
1200000 w
Тип IGBT:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Ввод:
Стандартный
Операционная температура:
-40°C | 150°C
Конфигурация:
2 независимый
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
DD1200
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
МОДУЛЬ 1200V 1200A IGBT
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Независимый 1200 модуля 2 IGBT v 1200 модулей держателя шасси a 1200000 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас