Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФМГ1G75US60H
  • ФМГ1G75US60H
ФМГ1G75US60H

ФМГ1G75US60H

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
19:00-ГВ
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,8 В при 15 В, 75 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
600 v
Пакет изделий поставщика:
19:00-ГВ
Мфр:
на полу
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
310 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
7,056 нФ при 30 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
FMG1
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 600В 75А 310Вт 7PMGA
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль одиночное 600 v IGBT держатель 7PM-GA 75 шасси a 310 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас