Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФД250Р65КЕ3КНОСА1
  • ФД250Р65КЕ3КНОСА1
ФД250Р65КЕ3КНОСА1

ФД250Р65КЕ3КНОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
250 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3.4В @ 15В, 250А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
6500 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-50°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
4800 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
69 nF @ 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
FD250R65
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
IGBT MOD 6500V 250A 4800W
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль IGBT одиночный 6500 V 250 A 4800 W Модуль установки шасси

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас