Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФФ200Р12КТ3ЭХОСА1
  • ФФ200Р12КТ3ЭХОСА1
ФФ200Р12КТ3ЭХОСА1

ФФ200Р12КТ3ЭХОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Статус продукта:
Не для новых моделей
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
c
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,15 В при 15 В, 200 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 125°C
Сила - Макс:
1050 Вт
Тип IGBT:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
14 нФ при 25 В
Конфигурация:
2 независимый
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФФ200Р12
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 1050Вт
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Независимый 1200 модуля 2 IGBT v 1050 модулей держателя шасси w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас