Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
АПТГФ100А1202Г
  • АПТГФ100А1202Г
АПТГФ100А1202Г

АПТГФ100А1202Г

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
135 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
СП2
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,7 В при 15 В, 100 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
СП2
Мфр:
Microsemi Корпорация
Операционная температура:
-
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
NPT
Сила - Макс:
568 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
6,5 нФ при 25 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Нет, нет.
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
Модуль IGBT 1200V 135A 568W SP2
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль IGBT NPT Half Bridge 1200 V 135 A 568 W Подвеска SP2

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас