Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
БСМ35ГП120БОСА1
  • БСМ35ГП120БОСА1
БСМ35ГП120БОСА1

БСМ35ГП120БОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
45 a
Статус продукта:
Выпущен в Digi-Key
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 500
Тип IGBT:
NPT
Сила - Макс:
230 w
Ввод:
-
Входная емкость (Cies) @ Vce:
1,5 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
BSM35GP120
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
MOD 1200V 45A 230W IGBT
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Инвертор 1200 v NPT модуля IGBT трехфазный 45 модуль держателя a 230 w поверхностный

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас