logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ВС-ГТ200ТС065С
  • ВС-ГТ200ТС065С
ВС-ГТ200ТС065С

ВС-ГТ200ТС065С

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
476 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Коробка
Серия:
ФРЕД Пт®
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1.32В @ 15В, 200А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет изделий поставщика:
INT-A-PAK IGBT
Мфр:
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 200
Тип IGBT:
Канава
Сила - Макс:
1 кВт
Ввод:
Стандартный
Операционная температура:
-40°C | 175°C (TJ)
Конфигурация:
Половинный инвертор моста
Термистор NTC:
Нет, нет.
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
МОДУЛИ IGBT - IAP IGBT
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль IGBT траншея Half Bridge Inverter 650 V 476 A 1 кВт Подвеска INT-A-PAK IGBT

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас