Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФС200Р07А02Е3С6БКСА2
  • ФС200Р07А02Е3С6БКСА2
ФС200Р07А02Е3С6БКСА2

ФС200Р07А02Е3С6БКСА2

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
200 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.25В @ 15В, 200А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
700 v
Пакет изделий поставщика:
PG-MDIP-28
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 100
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
694 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
13,5 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
ФС200Р07
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
Модуль IGBT HYBRID 28MDIP
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль IGBT Trench Field Stop Третья фаза 700 V 200 A 694 W Подвеска PG-MDIP-28

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас