Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ВС-40МТ120ФАПБФ
  • ВС-40МТ120ФАПБФ
ВС-40МТ120ФАПБФ

ВС-40МТ120ФАПБФ

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Через дыру
Пакет:
трубка
Серия:
-
Пакет / чемодан:
12-MTP модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,65 В при 15 В, 40 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
12-МТП
Мфр:
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 50
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
305 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
3,2 нФ при 25 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Нет, нет.
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
MTP - ПОЛУМОСТ IGBT
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Мост 1200 v 75 a 305 w половины диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT до отверстие 12-MTP

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас