Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
БСМ50ГБ60ДЛЧОСА1
  • БСМ50ГБ60ДЛЧОСА1
БСМ50ГБ60ДЛЧОСА1

БСМ50ГБ60ДЛЧОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,45 В при 15 В, 50 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
600 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 500
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
280 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
2,2 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
BSM50G
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
Модуль IGBT 600В 75А 280W
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль IGBT одиночный 600 V 75 A 280 W Модуль установки шасси

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас