Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
MSCGTQ100HD65C1AG
  • MSCGTQ100HD65C1AG
MSCGTQ100HD65C1AG

MSCGTQ100HD65C1AG

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
80 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
трубка
Серия:
MSC
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
-
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет изделий поставщика:
sp1
Мфр:
Технология микрочипов
Настоящий - выключение сборника (Макс):
80 А
Тип IGBT:
Канава
Пакет / чемодан:
Модуль
Ввод:
Стандартный
Операционная температура:
-
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
MSCGTQ100
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
PM-IGBT-TFS-SBD~-SP1F
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль IGBT траншея Half Bridge 650 V 80 A Подвеска шасси SP1

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас