Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ДДБ2У30Н08ВРБОМА1
  • ДДБ2У30Н08ВРБОМА1
ДДБ2У30Н08ВРБОМА1

ДДБ2У30Н08ВРБОМА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
25 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.55V @ 15V, 20A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
600 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
83,5 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
880 pF @ 25 v
Конфигурация:
3 независимых
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
DDB2U30
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
IGBT MOD 600V 25A 83,5W
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль IGBT 3 Независимый 600 V 25 A 83,5 W Модуль установки шасси

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас