Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФПФ2Г120БФ07АС
  • ФПФ2Г120БФ07АС
ФПФ2Г120БФ07АС

ФПФ2Г120БФ07АС

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
40 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Через дыру
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 40A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет изделий поставщика:
F2
Мфр:
на полу
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения
Сила - Макс:
156 w
Ввод:
Стандартный
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Конфигурация:
3 независимых
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
FPF2G120
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
МОДУЛЬ 650V 40A 156W F2 IGBT
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Независимый 650 диафрагмы поля зрения 3 модуля IGBT v 40 a 156 w до отверстие F2

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас