Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
VS-GB75SA120UP
  • VS-GB75SA120UP
VS-GB75SA120UP

VS-GB75SA120UP

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3.8V @ 15V, 75A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
SOT-227
Мфр:
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
Сила - Макс:
658 w
Тип IGBT:
NPT
Пакет / чемодан:
SOT-227-4, miniBLOC
Ввод:
Стандартный
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ГБ75
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
МОДУЛЬ 1200V 658W SOT227 IGBT
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль NPT IGBT определяет 1200 v держатель SOT-227 658 шасси w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас