Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФД1000Р17ИЕ4БОСА2
  • ФД1000Р17ИЕ4БОСА2
ФД1000Р17ИЕ4БОСА2

ФД1000Р17ИЕ4БОСА2

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Статус продукта:
Не для новых моделей
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ПраймПАК™3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,45 В при 15 В, 1000 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1700 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C
Сила - Макс:
6250 Вт
Тип IGBT:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
81 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
ФД1000
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 1700В 6250Вт
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль одиночное 1700 v IGBT модуль держателя 6250 шасси w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас