Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
FZ825R33HE4DBPSA1
  • FZ825R33HE4DBPSA1
FZ825R33HE4DBPSA1

FZ825R33HE4DBPSA1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
825 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ИХМ-Б
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.65В @ 15В, 825А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
3300 В
Пакет изделий поставщика:
АГ-IHVB130-3
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
2400000 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
93.5 nF @ 25 В
Конфигурация:
Один переключатель
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФЗ800
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
СИЛОВЫЕ МОДУЛИ С ОДНИМ ВЫКЛЮЧАТЕЛЕМ HV B
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
IGBT модуль траншеи полевой остановки один переключатель 3300 V 825 A 2400000 W Шасси монтаж AG-IHVB130-3

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас