Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
NXH100B120H3Q0STG
  • NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG

NXH100B120H3Q0STG

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
50 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Мфр:
на полу
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 200
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
186 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
9,075 нФ при 20 В
Конфигурация:
2 независимый
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
NXH100
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
МОДУЛЬ 1200V 50A 186W PIM22 IGBT
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Независимый 1200 диафрагмы поля зрения 2 канавы модуля IGBT v держатель 22-PIM/Q0BOOST 50 шасси a 186 w (55x32.5)

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас