logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФЗ1600Р33ХЭ4БПСА1
  • ФЗ1600Р33ХЭ4БПСА1
ФЗ1600Р33ХЭ4БПСА1

ФЗ1600Р33ХЭ4БПСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
1600 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ИХМ-Б
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,65 В при 15 В, 1,6 кА
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
3300 В
Пакет изделий поставщика:
АГ-IHVB130-3
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
3600 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
187 нФ при 25 В
Конфигурация:
2 независимый
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФЗ1600
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB13
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Независимый 3300 диафрагмы поля зрения 2 канавы модуля IGBT v 1600 держателей AG-IHVB130-3 шасси a 3600 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас