logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > обломок ic флэш-памяти >
R1RP0416DGE-2PR#B1
  • R1RP0416DGE-2PR#B1
R1RP0416DGE-2PR#B1

R1RP0416DGE-2PR#B1

Детали продукта
Категория:
Интегрированные схемы (IC) Память Память
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Трубка
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
12ns
Пакет изделий поставщика:
44-SOJ
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Renesas Electronics America Inc.
Размер памяти:
4 Мбит
Напряжение - питание:
4.5V ~ 5.5V
Время доступа:
12 ns
Пакет / чемодан:
44-BSOJ (0,400", ширина 10.16mm)
Организация памяти:
256K x 16
Операционная температура:
0°C ~ 70°C (TA)
Технологии:
SRAM
Номер базовой продукции:
R1RP0416
Формат памяти:
SRAM
Условия оплаты & доставки
Описание
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Характер продукции
ИК памяти SRAM 4Mbit Parallel 12 ns 44-SOJ

Бирки:

обломок ic флэш-памяти,

Обломок интегральной схемаы,

Микросхемы памяти

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас