logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > обломок ic флэш-памяти >
70В657С12БФГИ8
  • 70В657С12БФГИ8
70В657С12БФГИ8

70В657С12БФГИ8

Детали продукта
Категория:
Интегрированные схемы (IC) Память Память
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
12ns
Пакет изделий поставщика:
208-CABGA (15х15)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Renesas Electronics America Inc.
Размер памяти:
1.125 Мбит
Напряжение - питание:
3,15 В ~ 3,45 В
Время доступа:
12 ns
Пакет / чемодан:
208-LFBGA
Организация памяти:
32K x 36
Операционная температура:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Технологии:
SRAM - двойной порт, асинхронный
Номер базовой продукции:
70V657
Формат памяти:
SRAM
Условия оплаты & доставки
Описание
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA
Характер продукции
SRAM - двойной порт, асинхронная память IC 1.125Mbit Параллельный 12 ns 208-CABGA (15x15)

Бирки:

обломок ic флэш-памяти,

Обломок интегральной схемаы,

Микросхемы памяти

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас