logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > обломок ic флэш-памяти >
R1WV6416RBG-5SI#B0
  • R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI#B0

R1WV6416RBG-5SI#B0

Детали продукта
Категория:
Интегрированные схемы (IC) Память Память
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
55ns
Пакет изделий поставщика:
48-TFBGA (8,5x11)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
RENESAS
Размер памяти:
64 Мбит
Напряжение - питание:
2.7V ~ 3.6V
Пакет / чемодан:
48-TFBGA
Организация памяти:
4M x 16, 8M x 8
Операционная температура:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Технологии:
SRAM - Асинхронный
Время доступа:
55 нс
Формат памяти:
SRAM
Условия оплаты & доставки
Описание
R1WV6416RBG-5SI - SRAM малой мощности
Характер продукции
SRAM - Асинхронная память IC 64Mbit Parallel 55 ns 48-TFBGA (8.5x11)

Бирки:

обломок ic флэш-памяти,

Обломок интегральной схемаы,

Микросхемы памяти

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас