Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > обломок ic флэш-памяти >
МТ4В128М4FN-5B:D TR
  • МТ4В128М4FN-5B:D TR
МТ4В128М4FN-5B:D TR

МТ4В128М4FN-5B:D TR

Детали продукта
Категория:
Интегрированные схемы (IC) Память Память
Размер памяти:
512Mbit
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ)
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
15ns
Пакет изделий поставщика:
60-FBGA (10x12,5)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Микрон Технология Inc.
Частота работы часов:
200 МГц
Напряжение - питание:
2,5 В ~ 2,7 В
Время доступа:
700 ps
Пакет / чемодан:
60-TFBGA
Организация памяти:
128м х 4
Операционная температура:
0°C ~ 70°C (TA)
Технологии:
SDRAM-DDR
Номер базовой продукции:
МТ4С4С4
Формат памяти:
DRAM
Условия оплаты & доставки
Описание
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Характер продукции
SDRAM - ИС памяти DDR 512 Мбит Параллельный 200 МГц 700 пс 60-FBGA (10x12,5)

Бирки:

обломок ic флэш-памяти,

Обломок интегральной схемаы,

Микросхемы памяти

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас