Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > обломок ic флэш-памяти >
АС4К16М16МСА-6БИН
  • АС4К16М16МСА-6БИН
АС4К16М16МСА-6БИН

АС4К16М16МСА-6БИН

Детали продукта
Категория:
Интегрированные схемы (IC) Память Память
Размер памяти:
256Mbit
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Поднос
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
-
Пакет изделий поставщика:
54-FBGA (8х8)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Союзничество Память, Inc.
Частота работы часов:
166 МГц
Напряжение - питание:
1.7V | 1.95V
Время доступа:
5,5 ns
Пакет / чемодан:
54-VFBGA
Организация памяти:
16M x 16
Операционная температура:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Технологии:
SDRAM - мобильная SDRAM
Номер базовой продукции:
AS4C16
Формат памяти:
DRAM
Условия оплаты & доставки
Описание
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA
Характер продукции
SDRAM - Мобильная память SDRAM IC 256 Мбит Параллельно 166 МГц 5,5 нс 54-FBGA (8x8)

Бирки:

обломок ic флэш-памяти,

Обломок интегральной схемаы,

Микросхемы памяти

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас