logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > обломок ic флэш-памяти >
MT53E512M32D1ZW-046 ИТ:Б ТР
  • MT53E512M32D1ZW-046 ИТ:Б ТР
MT53E512M32D1ZW-046 ИТ:Б ТР

MT53E512M32D1ZW-046 ИТ:Б ТР

Детали продукта
Категория:
Интегрированные схемы (IC) Память Память
Размер памяти:
16Gbit
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
18ns
Пакет изделий поставщика:
200-TFBGA (10x14.5)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Микрон Технология Inc.
Частота работы часов:
2,133 GHz
Напряжение - питание:
1.06V | 1.17V
Время доступа:
3,5 ns
Пакет / чемодан:
200-TFBGA
Организация памяти:
512M x 32
Операционная температура:
-40°C | 95°C (TC)
Технологии:
SDRAM - Мобильное LPDDR4
Номер базовой продукции:
МТ5302
Формат памяти:
DRAM
Условия оплаты & доставки
Описание
IC DRAM 16GBIT 2.133GHz 200WFBGA
Характер продукции
SDRAM - Мобильная память LPDDR4 IC 16Gbit Параллельная 2,133 ГГц 3,5 нс 200-TFBGA (10x14.5)

Бирки:

обломок ic флэш-памяти,

Обломок интегральной схемаы,

Микросхемы памяти

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас