Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > обломок ic флэш-памяти >
71V424S10YG
  • 71V424S10YG
71V424S10YG

71V424S10YG

Детали продукта
Категория:
Интегрированные схемы (IC) Память Память
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
10ns
Пакет изделий поставщика:
36-SOJ
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
IDT, интегрированная технология Inc прибора
Размер памяти:
4 Мбит
Напряжение - питание:
3V ~ 3,6V
Время доступа:
10 нс
Пакет / чемодан:
36-BSOJ (0,400", ширина 10.16mm)
Организация памяти:
512K x 8
Операционная температура:
0°C ~ 70°C (TA)
Технологии:
SRAM - Асинхронный
Номер базовой продукции:
71В424
Формат памяти:
SRAM
Условия оплаты & доставки
Описание
71V424 - 4 MEG (512K X 8-BIT) 3.
Характер продукции
SRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мбит, параллельная, 10 нс, 36-SOJ

Бирки:

обломок ic флэш-памяти,

Обломок интегральной схемаы,

Микросхемы памяти

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас